Name: FDD10AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD10AN06A0TR-ND
Price: 3.025 EUR
Availability: InStock

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FDD10AN06A0
DigiKey-Teilenr.	FDD10AN06A0TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDD10AN06A0CT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDD10AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDD10AN06A0
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 11 A (Ta), 50 A (Tc) 135W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDD10AN06A0 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1840 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 135W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11 A (Ta), 50 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer FDD10AN06
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,5mOhm bei 50A, 10V