Name: FDB13AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB13AN06A0TR-ND
Price: 3.2065 EUR
Availability: InStock

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FDB13AN06A0
DigiKey-Teilenr.	FDB13AN06A0TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDB13AN06A0CT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDB13AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDB13AN06A0
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 10,9 A (Ta), 62 A (Tc) 115W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 29 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1350 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 115W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10,9 A (Ta), 62 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer FDB13AN06
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,5mOhm bei 62A, 10V