Name: FCB199N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCB199N65S3TR-ND
Price: 5.0336 EUR
Availability: InStock

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FCB199N65S3
cms-digikey-product-number	488-FCB199N65S3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-FCB199N65S3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-FCB199N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	FCB199N65S3
cms-description	MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
cms-standard-lead-time	17 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 650 V 14 A (Tc) 98W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	FCB199N65S3 Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® III
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	14 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	199mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1225 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	98W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	FCB199