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Nexperia USA Inc.
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Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt 50V 100mA 357mW Oberflächenmontage SOT-563
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EMD4DXV6T5

DigiKey-Teilenr.
488-EMD4DXV6T5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
EMD4DXV6T5
Beschreibung
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt 50V 100mA 357mW Oberflächenmontage SOT-563
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
47kOhm
Hersteller
onsemi
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 bei 5mA, 10V
Verpackung
Lose im Beutel
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 300µA, 10mA
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - vorgespannt
Leistung - Max.
357mW
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Montagetyp
Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Gehäuse / Hülle
SOT-563, SOT-666
Widerstand - Basis (R1)
47kOhm
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-563
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
PEMD9,115Nexperia USA Inc.6.0001727-1722-1-ND0,39000 ۀhnlich
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