DTC123EET1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Diodes Incorporated
Vorrätig: 3.000
Stückpreis : 0,31000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 3.125
Stückpreis : 0,27000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 2.225
Stückpreis : 0,12000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 8.656
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 3.855
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,03759 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 48.230
Stückpreis : 0,24000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,27000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 526
Stückpreis : 0,27000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 61.725
Stückpreis : 0,27000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 16.684
Stückpreis : 0,27000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 4.022
Stückpreis : 0,40000 €
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,10000 €
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,10000 €
Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 200 mW Oberflächenmontage SC-75, SOT-416
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DTC123EET1

DigiKey-Teilenr.
DTC123EET1-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DTC123EET1
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 200 mW Oberflächenmontage SC-75, SOT-416
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
DTC123EET1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
8 bei 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 5mA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Leistung - Max.
200 mW
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
SC-75, SOT-416
Gehäusetyp vom Lieferanten
SC-75, SOT-416
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe