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STMicroelectronics
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Durchkontaktierung TO-126
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BD679

DigiKey-Teilenr.
BD679OS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BD679
Beschreibung
TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Durchkontaktierung TO-126
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Produkteigenschaften
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Herst.
Serie
-
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Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2,5V bei 30mA, 1,5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
750 bei 1,5A, 3V
Leistung - Max.
40 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
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