Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 8 A 20MHz 2.5 W Durchkontaktierung TO-3PB
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2SD1230

DigiKey-Teilenr.
2156-2SD1230-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
2SD1230
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 8A TO-3PB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 8 A 20MHz 2.5 W Durchkontaktierung TO-3PB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,5V bei 8mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1500 bei 4A, 3V
Leistung - Max.
2.5 W
Frequenz - Übergang
20MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PB
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