2SB1122T-TD-E onsemi | Einzelne bipolare transistoren

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2SB1122T-TD-E
DigiKey-Teilenr.	2SB1122T-TD-EOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 2SB1122T-TD-EOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2SB1122T-TD-E
Beschreibung	TRANS PNP 50V 1A PCP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 50 V 1 A 150MHz 500 mW Oberflächenmontage PCP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SB1122T-TD-E Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 100 bei 100mA, 2V
Herst. onsemi	Leistung - Max. 500 mW
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Frequenz - Übergang 150MHz
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Transistor-Typ PNP	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1 A	Gehäuse / Hülle TO-243AA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PCP
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 500mV bei 50mA, 500mA	Basis-Produktnummer 2SB1122
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (7)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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