N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
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BS170

DigiKey-Teilenr.
BS170-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BS170
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
40 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
830mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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2.0000,08569 €171,38 €
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10.0000,06826 €682,60 €
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