RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
NXP Brings Standard Packages to RF Power
5G Wireless Infrastructure for a Connected World

MRF101AN

DigiKey-Teilenr.
568-14751-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MRF101AN
Beschreibung
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
NXP USA Inc.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Technologie
LDMOS
Frequenz
1,8MHz bis 250MHz
Verstärkung
21,1dB
Spannung - Test
50 V
Nennstrom (Ampere)
10µA
Rauschzahl
-
Strom - Test
100 mA
Leistung - Abgabe
115W
Spannung - Nennwert
133 V
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Basis-Produktnummer
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