RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
NXP Brings Standard Packages to RF Power
5G Wireless Infrastructure for a Connected World

MRF101AN

DigiKey-Teilenr.
568-14751-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MRF101AN
Beschreibung
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 50 V 100 mA 1,8MHz bis 250MHz 21,1dB 115W TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Nennstrom (Ampere)
10µA
Hersteller
NXP USA Inc.
Strom - Test
100 mA
Verpackung
Stange
Leistung - Abgabe
115W
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Spannung - Nennwert
133 V
Technologie
LDMOS
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Frequenz
1,8MHz bis 250MHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Verstärkung
21,1dB
Basis-Produktnummer
Spannung - Test
50 V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 200
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Verfügbar bis: 30.09.2026
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
137,78000 €37,78 €
1030,86200 €308,62 €
5028,09220 €1.404,61 €
10027,23500 €2.723,50 €
25026,33000 €6.582,50 €
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Stückpreis ohne MwSt.:37,78000 €
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