Name: PSMN7R2-100YSFX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN7R2-100YSFXTR-ND
Price: 3.0976 EUR
Availability: InStock

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PSMN7R2-100YSFX
cms-digikey-product-number	1727-PSMN7R2-100YSFXTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PSMN7R2-100YSFXCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PSMN7R2-100YSFXDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Nexperia USA Inc.
cms-manufacturer-product-number	PSMN7R2-100YSFX
cms-description	NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
cms-standard-lead-time	16 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 100 V 111A (Tc) 194W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK56, Power-SO8
Datenblatt	Datenblatt

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	111A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,9mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4818 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	194W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK56, Power-SO8
Gehäuse / Hülle	SC-100, SOT-669