PSMN2R8-80SSFJ Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

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PSMN2R8-80SSFJ
DigiKey-Teilenr.	1727-PSMN2R8-80SSFJTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PSMN2R8-80SSFJCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PSMN2R8-80SSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN2R8-80SSFJ
Beschreibung	NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 190A (Ta) 341W (Ta) Oberflächenmontage LFPAK88 (SOT1235)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	190A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,8mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10088 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	341W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK88 (SOT1235)
Gehäuse / Hülle	SOT-1235

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