Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
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Thin Silicon Carbide Explained – SiC Basics

PSC1065KQ

DigiKey-Teilenr.
1727-PSC1065KQ-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
PSC1065KQ
Beschreibung
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 10 A
Geschwindigkeit
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
60 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
340pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang
175°C
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