Name: GANE1R8-100QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE1R8-100QBAZTR-ND
Price: 10.9263 EUR
Availability: InStock

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GANE1R8-100QBAZ
DigiKey-Teilenr.	1727-GANE1R8-100QBAZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-GANE1R8-100QBAZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-GANE1R8-100QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	GANE1R8-100QBAZ
Beschreibung	GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 100 A (Tc) 65W (Tc) Oberflächenmontage 25-VQFN (4x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 21mA
Herst. Nexperia USA Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +6V, -4V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2500 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 25-VQFN (4x6)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V	Gehäuse / Hülle 25-PowerVFQFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,8mOhm bei 40A, 5V