Name: G3F20MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F20MT12J-TR-ND
Price: 24.5751 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3F20MT12J-TR
DigiKey-Teilenr.	1913-G3F20MT12J-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1913-G3F20MT12J-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1913-G3F20MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3F20MT12J-TR
Beschreibung	1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 108 A (Tc) 448W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	108 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	26,5mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 30mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	176 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4317 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	448W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA