Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 7 NPN Darlington 50V 600mA Durchkontaktierung 16-CERDIP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SG2013J

DigiKey-Teilenr.
150-SG2013J-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
SG2013J
Beschreibung
TRANS 7NPN DARL 50V 16CERDIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 7 NPN Darlington 50V 600mA Durchkontaktierung 16-CERDIP
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,9V bei 600µA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
900 bei 500mA, 2V
Leistung - Max.
-
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 125°C (TA)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
16-CDIP (0,300", 7,62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
16-CERDIP
Basis-Produktnummer
SG2013
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