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Verfügbare Ersatzkomponenten:

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Vorrätig: 37.024
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Vorrätig: 2.834
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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 50.956
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Parametrisches Äquivalent


Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Vorrätig: 6.962
Stückpreis : 0,08000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 41.893
Stückpreis : 0,16000 €
Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Oberflächenmontage SOT-23
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Oberflächenmontage SOT-23
SOT 23

KTC3875-GR-TP

DigiKey-Teilenr.
353-KTC3875-GR-TP-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
KTC3875-GR-TP
Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Oberflächenmontage SOT-23
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Herst.
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-
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Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 10mA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
120 bei 2mA, 6V
Leistung - Max.
150 mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
Basis-Produktnummer
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