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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

2SC2712-BL,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 3.186
Stückpreis : 0,15000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

2SC2712-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 41.708
Stückpreis : 0,15000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

2SC2712-OTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 12.851
Stückpreis : 0,15000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

2SC2712-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 42.447
Stückpreis : 0,15000 €
Datenblatt

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2SC2412KT146Q
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 4.636
Stückpreis : 0,20000 €
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2SD2226KT146W
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 2.844
Stückpreis : 0,60000 €
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Ähnlich

BC847A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 5.027
Stückpreis : 0,14000 €
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Ähnlich

BC847B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 5.673
Stückpreis : 0,14000 €
Datenblatt

Ähnlich

BC847C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 74
Stückpreis : 0,14000 €
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BCX70JT116
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,08011 €

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MMBT3904 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 4.467
Stückpreis : 0,14000 €
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Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 111.461
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Vorrätig: 56.413
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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 1.360
Stückpreis : 0,40000 €
Datenblatt
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Oberflächenmontage SOT-23
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Oberflächenmontage SOT-23
SOT 23

2SC2712-Y-TP

DigiKey-Teilenr.
353-2SC2712-Y-TP-ND
Hersteller
MCC (Micro Commercial Components)
Hersteller-Teilenummer
2SC2712-Y-TP
Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Oberflächenmontage SOT-23
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Kategorie
Herst.
MCC (Micro Commercial Components)
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 10mA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 bei 2mA, 6V
Leistung - Max.
150 mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
Basis-Produktnummer
2SC2712
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