N-Kanal 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

IXTY2N100P

DigiKey-Teilenr.
238-IXTY2N100P-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTY2N100P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
Polar
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
655 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
IXTY2
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