N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

IXTY08N50D2

DigiKey-Teilenr.
IXTY08N50D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTY08N50D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,6Ohm bei 400mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12.7 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
312 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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