N-Kanal 650 V 120 A (Tc) 1250W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
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IXTX120N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXTX120N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTX120N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 120 A (Tc) 1250W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 8mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
240 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
13600 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
1250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PLUS247™-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
24mOhm bei 60A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 300
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
122,59000 €22,59 €
3014,46967 €434,09 €
12012,69467 €1.523,36 €
51012,65416 €6.453,62 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:22,59000 €
Stückpreis mit MwSt.:27,33390 €