Name: IXTT1N300P3HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT1N300P3HV-ND
Price: 41.7087 EUR
Availability: InStock

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IXTT1N300P3HV
DigiKey-Teilenr.	238-IXTT1N300P3HV-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTT1N300P3HV
Beschreibung	MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 3000 V 1 A (Tc) 195W (Tc) Oberflächenmontage TO-268HV (IXTT)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar P3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	3000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	895 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	195W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268HV (IXTT)
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXTT1

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