P-Kanal 100 V 52 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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IXTQ52P10P

DigiKey-Teilenr.
238-IXTQ52P10P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTQ52P10P
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 100 V 52 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2845 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
50mOhm bei 52A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
17,83000 €7,83 €
304,57400 €137,22 €
1203,85900 €463,08 €
5103,33518 €1.700,94 €
1.0203,21103 €3.275,25 €
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