IXTK62N25 IXYS | Einzelne FETs, MOSFETs

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STMicroelectronics

Vorrätig: 327

Stückpreis : 3,02000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTK62N25
DigiKey-Teilenr.	IXTK62N25-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTK62N25
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 62A TO264
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 62 A (Tc) 390W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 240 nC @ 10 V
Serie MegaMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5400 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-264 (IXTK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 62 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-264-3, TO-264AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTK62
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 35mOhm bei 31A, 10V