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Infineon Technologies
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Datenblatt
N-Kanal 200 V 110 A (Tc) 960W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)
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IXTK110N20L2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTK110N20L2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTK110N20L2
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 110 A (Tc) 960W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 3mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
500 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
23000 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
960W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-264 (IXTK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
24mOhm bei 55A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRFP4127PBFInfineon Technologies0IRFP4127PBF-ND0,00000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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2525,06440 €626,61 €
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