IXTH130N15T IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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IXYS

Vorrätig: 14

Stückpreis : 8,77000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH130N15T
DigiKey-Teilenr.	IXTH130N15T-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTH130N15T
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 130 A (Tc) 750W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Trench
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	130 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 65A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	750W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXTH130