Name: IXTA8N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXTA8N65X2-ND
Price: 4.4891 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-263

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTA8N65X2
DigiKey-Teilenr.	IXTA8N65X2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA8N65X2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	500mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA8

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1	3,71000 €	3,71 €
50	1,89800 €	94,90 €
100	1,72330 €	172,33 €
500	1,41684 €	708,42 €
1.000	1,31842 €	1.318,42 €
2.000	1,28594 €	2.571,88 €

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