N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
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IXTA6N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTA6N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTA6N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,2Ohm bei 3A, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2650 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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