N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 3 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
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IXTA3N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTA3N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTA3N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 3 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
37.5 nC @ 5 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1020 pF @ 25 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,5Ohm bei 1,5A, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 115
Bestand des Herstellers: 750
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
16,89000 €6,89 €
503,72480 €186,24 €
1003,41900 €341,90 €
5002,88370 €1.441,85 €
1.0002,71437 €2.714,37 €
Standardverpackung des Herstellers
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