
IXTA3N100D2 | |
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DigiKey-Teilenr. | 238-IXTA3N100D2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTA3N100D2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 32 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 3 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37.5 nC @ 5 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1020 pF @ 25 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
FET-Typ | Montagetyp Oberflächenmontage |
Technologie | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263AA |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V | Gehäuse / Hülle |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,5Ohm bei 1,5A, 0V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 6,89000 € | 6,89 € |
| 50 | 3,72480 € | 186,24 € |
| 100 | 3,41900 € | 341,90 € |
| 500 | 2,88370 € | 1.441,85 € |
| 1.000 | 2,71437 € | 2.714,37 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 6,89000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 8,33690 € |


