Name: IXTA1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA1N200P3HV-ND
Price: 11.5434 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTA1N200P3HV-TRL

IXYS

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N-Kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA

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IXTA1N200P3HV
DigiKey-Teilenr.	IXTA1N200P3HV-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA1N200P3HV
Beschreibung	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXTA1N200P3HV Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23.5 nC @ 10 V
Serie Polar P3™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 646 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 2000 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTA1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 40Ohm bei 500mA, 10V

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IXTA1N200P3HV-TRL	IXYS	23	238-IXTA1N200P3HV-TRLCT-ND	9,54000 €	Parametrisches Äquivalent

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	9,54000 €	9,54 €
50	5,31460 €	265,73 €
100	4,90870 €	490,87 €
500	4,19826 €	2.099,13 €
1.000	4,16016 €	4.160,16 €

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