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N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
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N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
8PowerSFN

IXSH60N65L2KHV

DigiKey-Teilenr.
238-IXSH60N65L2KHV-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXSH60N65L2KHV
Beschreibung
650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 7,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
94.7 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 600 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
249W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
53mOhm bei 20A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
19,25000 €9,25 €
106,36700 €63,67 €
4504,08778 €1.839,50 €
9003,99506 €3.595,55 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:11,19250 €