


IXFY8N65X2 | |
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DigiKey-Teilenr. | IXFY8N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFY8N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 790 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 4A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 18.948 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | 0,99000 € | Ähnlich |
| IPD80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | 4.126 | IPD80R600P7ATMA1CT-ND | 1,95000 € | Ähnlich |
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 11.376 | SPD08N50C3ATMA1CT-ND | 2,27000 € | Ähnlich |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 4.106 | 497-13352-1-ND | 3,74000 € | Ähnlich |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 504 | 497-10878-1-ND | 2,97000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,65000 € | 3,65 € |
| 70 | 1,78057 € | 124,64 € |
| 140 | 1,62229 € | 227,12 € |
| 560 | 1,37718 € | 771,22 € |
| 1.050 | 1,29115 € | 1.355,71 € |
| 2.030 | 1,26539 € | 2.568,74 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,65000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,41650 € |

