N-Kanal 850 V 65 A (Tc) 830W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
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IXFN66N85X

DigiKey-Teilenr.
238-IXFN66N85X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFN66N85X
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 850 V 65 A (Tc) 830W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 8mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
230 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8900 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
850 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
65mOhm bei 33A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
140,08000 €40,08 €
1030,08200 €300,82 €
10025,94110 €2.594,11 €
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