IXFN55N120SK IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFN55N120SK
DigiKey-Teilenr.	238-IXFN55N120SK-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFN55N120SK
Beschreibung	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 54 A (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	54 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	42mOhm bei 40A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	107 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+15V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3360 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227B
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC