N-Kanal 650 V 170 A (Tc) 1170W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
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IXFN170N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXFN170N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFN170N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 170 A (Tc) 1170W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
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Herst.
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13mOhm bei 85A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
434 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
27000 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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