N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 960W (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA (IXFK)
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IXFK32N100P

DigiKey-Teilenr.
IXFK32N100P-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFK32N100P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 960W (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA (IXFK)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Polar
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
32 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
320mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
6,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
14200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
960W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-264AA (IXFK)
Gehäuse / Hülle
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXFK32
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