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STMicroelectronics
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Datenblatt
TO-247-3
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IXFJ20N85X

DigiKey-Teilenr.
IXFJ20N85X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFJ20N85X
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 850 V 9,5 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung ISO TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
850 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
360mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1660 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
ISO TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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