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N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 480W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFA180N10T2

DigiKey-Teilenr.
IXFA180N10T2-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFA180N10T2
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 480W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IXFA180N10T2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
180 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
480W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA (IXFA)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXFA180
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503,87480 €193,74 €
1003,55920 €355,92 €
5003,00674 €1.503,37 €
1.0002,84717 €2.847,17 €
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