
SPP11N60C3XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SPP11N60C3XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPP11N60C3XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPP11N60C3XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 500µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1200 pF @ 25 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 380mOhm bei 7A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | 1.296 | 448-IPP60R360P7XKSA1-ND | 2,22000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| AOT11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 995 | 785-1250-5-ND | 3,06000 € | Ähnlich |
| FCP11N60F | onsemi | 2.037 | FCP11N60FFS-ND | 3,75000 € | Ähnlich |
| IPP60R380E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 12.000 | 2156-IPP60R380E6XKSA1-ND | 1,30882 € | Ähnlich |
| IRF610LPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF610LPBF-ND | 0,73164 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,62000 € | 3,62 € |
| 50 | 1,81640 € | 90,82 € |
| 100 | 1,64180 € | 164,18 € |
| 500 | 1,33578 € | 667,89 € |
| 1.000 | 1,23745 € | 1.237,45 € |
| 2.000 | 1,15479 € | 2.309,58 € |
| 5.000 | 1,06542 € | 5.327,10 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,62000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,38020 € |








