Name: SPD30P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPD30P06PGATMA1TR-ND
Price: 2.1296 EUR
Availability: OutOfStock

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SPD30P06PGATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-SPD30P06PGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-SPD30P06PGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-SPD30P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPD30P06PGATMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 30 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-311

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1,7mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V
Serie SIPMOS®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1535 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3-311
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 75mOhm bei 21,5A, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63