Name: ISC036N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC036N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 1.4399 EUR
Availability: InStock

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ISC036N04NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC036N04NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC036N04NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC036N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC036N04NM5ATMA1
Beschreibung	40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 21 A (Ta), 98 A (Tc) 3W (Ta), 63W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC036N04NM5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Ta), 98 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,6mOhm bei 49A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,4V bei 23µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2000 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISC036N

Stückpreis ohne MwSt.:	1,19000 €
Stückpreis mit MwSt.:	1,43990 €

ISC036N04NM5ATMA1