MOSFETs - Arrays 30V 7,6A (Ta), 10,2A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc) 1,4W (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenmontage PG-DSO-8-920
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MOSFETs - Arrays 30V 7,6A (Ta), 10,2A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc) 1,4W (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenmontage PG-DSO-8-920
Infineon OptiMOSTM Dual N+N channel and N+P channel power MOSFETs in 30 V and 40 V in SO-8 package

ISA150233C03LMDSXTMA

DigiKey-Teilenr.
448-ISA150233C03LMDSXTMATR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
448-ISA150233C03LMDSXTMACT-ND - Gurtabschnitt (CT)
448-ISA150233C03LMDSXTMADKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
ISA150233C03LMDSXTMA
Beschreibung
ISA150233C03LMDSXTMA
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 7,6A (Ta), 10,2A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc) 1,4W (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenmontage PG-DSO-8-920
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ 3
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
N- und P-Kanal
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7,6A (Ta), 10,2A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
15mOhm bei 10,2A, 10V, 23,3mOhm bei 8,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,7V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19nC bei 10V, 32nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300pF bei 15V, 2300pF bei 15V
Leistung - Max.
1,4W (Ta), 2,5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-DSO-8-920
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Menge
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Gurtabschnitt (CT)
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100,98500 €9,85 €
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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