
IRLB4030PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IRLB4030PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRLB4030PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRLB4030PBF Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 4,3mOhm bei 110A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 130 nC @ 4.5 V | |
Vgs (Max.) | ±16V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 11360 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 370W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,49000 € | 3,49 € |
| 10 | 2,29100 € | 22,91 € |
| 100 | 1,60670 € | 160,67 € |
| 500 | 1,31442 € | 657,21 € |
| 1.000 | 1,22054 € | 1.220,54 € |
| 2.000 | 1,14163 € | 2.283,26 € |
| 5.000 | 1,09053 € | 5.452,65 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,49000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,22290 € |















