Name: IRFH9310TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH9310TRPBFTR-ND
Price: 2.0207 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFH9310TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFH9310TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFH9310TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFH9310TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFH9310TRPBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 3,1W (Ta) Oberflächenmontage PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFH9310TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,6mOhm bei 21A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	58 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5250 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	IRFH9310