Name: IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5020TRPBFTR-ND
Price: 2.5652 EUR
Availability: InStock

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IRFH5020TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFH5020TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFH5020TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFH5020TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFH5020TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 5,1 A (Ta) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFH5020TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 150µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 54 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2290 pF @ 100 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,1 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRFH5020
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 55mOhm bei 7,5A, 10V