N-Kanal 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB3307PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB3307PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB3307PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB3307PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 150µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
180 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5150 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,3mOhm bei 75A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 786
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,93000 €2,93 €
101,89300 €18,93 €
1001,30120 €130,12 €
5001,04810 €524,05 €
1.0000,96676 €966,76 €
2.0000,89839 €1.796,78 €
5.0000,82444 €4.122,20 €
10.0000,77878 €7.787,80 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:2,93000 €
Stückpreis mit MwSt.:3,54530 €