IRF7317TRPBF Infineon Technologies | FET- und MOSFET-Arrays

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IRF7317TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7317PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7317PBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7317PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7317TRPBF
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 6,6 A, 5,3 A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7317TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 6A, 4,5V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 700mV bei 250µA
Serie HEXFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 27nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 900pF bei 15V
Status der Komponente Obsolet	Leistung - Max. 2W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N- und P-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,6 A, 5,3 A	Basis-Produktnummer IRF731