IRF1104PBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen


Infineon Technologies
Vorrätig: 1.943
Stückpreis : 1,40000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 75
Stückpreis : 2,06000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 325
Stückpreis : 3,21000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,71002 €
Datenblatt
N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF1104PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF1104PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF1104PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF1104PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2900 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.