Name: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 3.5332 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-1

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Beschreibung	TRENCH <= 40V
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,5mOhm bei 20A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 432µA
Serie OptiMOS™ 7	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±16V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6100 pF @ 12 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 150W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 54A (Ta), 422A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHTFN-9-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 9-PowerWDFN