Name: IQE050N08NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5ATMA1TR-ND
Price: 3.5937 EUR
Availability: InStock

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IQE050N08NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE050N08NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE050N08NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE050N08NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE050N08NM5ATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 16A (Ta), 101A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE050N08NM5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 49µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43.2 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2900 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-4
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16A (Ta), 101A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IQE050N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5mOhm bei 20A, 10V